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APTGLQ25H120T2G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGLQ25H120T2G
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
88435
Microsemi Corporation
Module
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

APTGLQ25H120T2G
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
45703
Microchip / Microsemi
SP2
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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您是不是要找： APTGLQ300A120G APTGLQ300H65G APTGLQ300SK120G APTGLQ30H65T3G APTGLQ400A120T6G APTGLQ40DDA120CT3G APTGLQ40H120T1G APTGLQ40HR120CT3G APTGLQ50DDA65T3G

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APTGLQ25H120T2G PDF下載

功能描述
POWER MODULE - IGBT
制造商
microsemi corporation
系列
-
零件狀態
在售
IGBT 類型
溝槽型場截止
配置
全橋
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
50A
功率 - 最大值
165W
不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
2.42V @ 15V，25A
電流 - 集電極截止（最大值）
50μA
不同?Vce 時的輸入電容（Cies）
1.43nF @ 25V
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
是
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
模塊
供應商器件封裝
SP2
標準包裝
1

APTGLQ25H120T2G 技術參數

APTGLQ25H120T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:165W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.42V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.43nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGLQ200HR120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop 1200V 300A 1000W Through Hole SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:* 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，160A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:通孔封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ200H65G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:270A 功率 - 最大值:680W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V, 200A 電流 - 集電極截止（最大值）:75μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ200H120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 350A 1000W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:350A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ200A120T3AG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:2 個獨立式電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，160A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGLQ50H65T1G APTGLQ50H65T3G APTGLQ50TL65T3G APTGLQ50VDA65T3G APTGLQ600A65T6G APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG APTGT100A120TG APTGT100A170D1G APTGT100A170TG APTGT100A602G APTGT100A60T1G APTGT100A60TG