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APTGLQ200HR120G

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  • APTGLQ200HR120G
    APTGLQ200HR120G

    APTGLQ200HR120G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP6

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • APTGLQ200HR120G
    APTGLQ200HR120G

    APTGLQ200HR120G

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質:營業執照

  • 18210

  • MICROSEMI

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  • APTGLQ200HR120G
    APTGLQ200HR120G

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

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    資質:營業執照

  • 35

  • MICROSE

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  • 全新原裝現貨

  • APTGLQ200HR120G
    APTGLQ200HR120G

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  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯系人:張小姐/韓先生

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APTGLQ200HR120G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER IGBT TRANSISTOR
APTGLQ200HR120G 技術參數
  • APTGLQ200H65G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):270A 功率 - 最大值:680W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.3V @ 15V, 200A 電流 - 集電極截止(最大值):75μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):12.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ200H120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 350A 1000W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):350A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):12.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ200A120T3AG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:2 個獨立式 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,160A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):9.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGLQ150H120G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):250A 功率 - 最大值:750W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):8.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ150A120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):250A 功率 - 最大值:750W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):8.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGLQ40HR120CT3G APTGLQ50DDA65T3G APTGLQ50H65T1G APTGLQ50H65T3G APTGLQ50TL65T3G APTGLQ50VDA65T3G APTGLQ600A65T6G APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG APTGT100A120TG APTGT100A170D1G APTGT100A170TG APTGT100A602G
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