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APTGLQ200A120T3AG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGLQ200A120T3AG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
Module
23+
-
微芯專營優勢產品

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1

您是不是要找： APTGLQ200H120G APTGLQ200H65G APTGLQ200HR120G APTGLQ25H120T1G APTGLQ25H120T2G APTGLQ300A120G APTGLQ300H65G APTGLQ300SK120G APTGLQ30H65T3G

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APTGLQ200A120T3AG PDF下載

功能描述
POWER MODULE - IGBT
制造商
microsemi corporation
系列
-
零件狀態
在售
IGBT 類型
溝槽型場截止
配置
2 個獨立式
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
400A
功率 - 最大值
1250W
不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
2.4V @ 15V，160A
電流 - 集電極截止（最大值）
100μA
不同?Vce 時的輸入電容（Cies）
9.3nF @ 25V
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
是
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
模塊
供應商器件封裝
SP3F
標準包裝
1

APTGLQ200A120T3AG 技術參數

APTGLQ150H120G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250A 功率 - 最大值:750W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ150A120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250A 功率 - 最大值:750W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGLQ100H65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:135A 功率 - 最大值:350W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.15nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGLQ100DA120T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:升壓斬波器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:170A 功率 - 最大值:520W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.42V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.15nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGLQ100A65T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 650V 200A 350W Through Hole SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:350W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:通孔封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGLQ400A120T6G APTGLQ40DDA120CT3G APTGLQ40H120T1G APTGLQ40HR120CT3G APTGLQ50DDA65T3G APTGLQ50H65T1G APTGLQ50H65T3G APTGLQ50TL65T3G APTGLQ50VDA65T3G APTGLQ600A65T6G APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG APTGT100A120TG