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APTGLQ150H120G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • APTGLQ150H120G
    APTGLQ150H120G

    APTGLQ150H120G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83286481

    地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • Module

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APTGLQ150H120G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • POWER MODULE - IGBT
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • IGBT 類型
  • 溝槽型場(chǎng)截止
  • 配置
  • 全橋
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 1200V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 250A
  • 功率 - 最大值
  • 750W
  • 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
  • 2.4V @ 15V，150A
  • 電流 - 集電極截止（最大值）
  • 100μA
  • 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）
  • 8.8nF @ 25V
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 無
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • 模塊
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SP6
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
APTGLQ150H120G 技術(shù)參數(shù)
  • APTGLQ150A120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250A 功率 - 最大值:750W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.4V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:8.8nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ100H65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:135A 功率 - 最大值:350W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6.15nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ100DA120T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:170A 功率 - 最大值:520W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.42V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6.15nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ100A65T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 650V 200A 350W Through Hole SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:350W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ100A120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:170A 功率 - 最大值:520W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.42V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6.15nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGLQ30H65T3G APTGLQ400A120T6G APTGLQ40DDA120CT3G APTGLQ40H120T1G APTGLQ40HR120CT3G APTGLQ50DDA65T3G APTGLQ50H65T1G APTGLQ50H65T3G APTGLQ50TL65T3G APTGLQ50VDA65T3G APTGLQ600A65T6G APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG
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