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參數資料
| 型號： | A3PN125-ZVQG100I |
| 元件分類： | FPGA |
| 英文描述： | FPGA, 3072 CLBS, 125000 GATES, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VQFP-100 |
| 文件頁數： | 51/100頁 |
| 文件大小： | 3284K |
| 代理商： | A3PN125-ZVQG100I |
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ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2- 40
Advance v0.2
Timing Characteristics
Figure 2-16 Input DDR Timing Diagram
tDDRICLR2Q2
tDDRIREMCLR
tDDRIRECCLR
tDDRICLR2Q1
12
3
4
5
6
7
8
9
CLK
Data
CLR
Out_QR
Out_QF
tDDRICLKQ1
2
4
6
3
5
7
tDDRIHD
tDDRISUD
tDDRICLKQ2
Table 2-58 Input DDR Propagation Delays
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
–2
–1
Std.
Units
tDDRICLKQ1
Clock-to-Out Out_QR for Input DDR
0.27
0.31
0.37
ns
tDDRICLKQ2
Clock-to-Out Out_QF for Input DDR
0.39
0.44
0.52
ns
tDDRISUD
Data Setup for Input DDR (Fall)
0.25
0.28
0.33
ns
Data Setup for Input DDR (Rise)
0.25
0.28
0.33
ns
tDDRIHD
Data Hold for Input DDR (Fall)
0.00
ns
Data Hold for Input DDR (Rise)
0.00
ns
tDDRICLR2Q1
Asynchronous Clear-to-Out Out_QR for Input DDR
0.46
0.53
0.62
ns
tDDRICLR2Q2
Asynchronous Clear-to-Out Out_QF for Input DDR
0.57
0.65
0.76
ns
tDDRIREMCLR
Asynchronous Clear Removal time for Input DDR
0.00
ns
tDDRIRECCLR
Asynchronous Clear Recovery time for Input DDR
0.22
0.25
0.30
ns
tDDRIWCLR
Asynchronous Clear Minimum Pulse Width for Input DDR
0.22
0.25
0.30
ns
tDDRICKMPWH Clock Minimum Pulse Width High for Input DDR
0.36
0.41
0.48
ns
tDDRICKMPWL
Clock Minimum Pulse Width Low for Input DDR
0.32
0.37
0.43
ns
FDDRIMAX
Maximum Frequency for Input DDR
MHz
Note: For specific junction temperature and voltage-supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating
values.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A3PN125-ZVQG100 | FPGA, 3072 CLBS, 125000 GATES, PQFP100 |
| A3RS91.1 | 0 MHz - 3000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| A404318 | 35 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
| A404317 | 35 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
| A404315 | 35 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| A3PN250-1VQ100I | 功能描述:IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標準包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數:- 邏輯元件/單元數:792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數:120 門數:30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應商設備封裝:289-CSP（14x14） |
| A3PN250-1VQG100 | 功能描述:IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標準包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數:- 邏輯元件/單元數:792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數:120 門數:30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應商設備封裝:289-CSP（14x14） |
| A3PN250-1VQG100I | 功能描述:IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標準包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數:- 邏輯元件/單元數:792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數:120 門數:30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應商設備封裝:289-CSP（14x14） |
| A3PN250-2QNG100 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FPGA PROASIC3 NANO 250K GATES COMM 130NM 1.5V 100QFN - Trays 制造商:Microsemi SOC Products Group 功能描述:FPGA PROASIC3 NANO 250K GATES COMM 130NM 1.5V 100QFN - Trays |
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