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參數資料
| 型號： | ADG636 |
| 廠商： | Analog Devices, Inc. |
| 英文描述： | 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch |
| 中文描述： | 1件電荷注入，100功率放大器泄漏CMOS 5伏/ 5伏/ 3伏雙路SPDT開關 |
| 文件頁數： | 10/12頁 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | ADG636 |
REV. 0
ADG636
–10–
S
D
V
DD
V
S
GND
C
L
1nF
V
OUT
R
S
V
DD
SW ON
V
IN
SW OFF
V
OUT
Q
INJ
= C
L
V
OUT
V
OUT
V
SS
V
SS
V
IN
SW OFF
SW ON
SW OFF
SW OFF
CHARGE INJECTION =
V
OUT
C
L
DECODER
A2
A1
EN
Test Circuit 7. Charge Injection
V
S
V
OUT
50
NETWORK
ANALYZER
GND
V
DD
S
D
50
OFF
ISOLATION
=
20
LOG
V
OUT
V
S
0.1 F
0.1 F
V
SS
V
DD
V
SS
R
L
50
Test Circuit 8. Off Isolation
GND
V
DD
D
CHANNEL-TO-CHANNEL CROSSTALK = 20 LOG
V
OUT
V
S
0.1 F
0.1 F
V
SS
V
DD
V
SS
R
L
50
NETWORK
ANALYZER
V
OUT
V
S
50
S1
S2
R
L
50
Test Circuit 10. Channel-to-Channel Crosstalk
V
S
V
OUT
50
NETWORK
ANALYZER
GND
V
DD
S
D
INSERTION LOSS = 20 LOG
V
OUT
WITH SWITCH
V
OUT
WITHOUT SWITCH
0.1 F
0.1 F
V
SS
V
DD
V
SS
R
L
50
Test Circuit 9. Bandwidth
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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