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參數(shù)資料
| 型號： | ADG636 |
| 廠商： | Analog Devices, Inc. |
| 英文描述： | 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch |
| 中文描述： | 1件電荷注入，100功率放大器泄漏CMOS 5伏/ 5伏/ 3伏雙路SPDT開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | ADG636 |
REV. 0
ADG636
–9–
Test Circuits
V
S
V
DD
V
DD
EN
A0
A1
50
2.4V
0.1 F
S1A
V
SS
GND
D1
V
SS
V
S1A
V
OUT
R
L
300
C
35pF
S1B
0.1 F
V
S1B
50%
50%
90%
90%
ADDRESS
DRIVE (V
IN
)
V
OUT
t
TRANSITION
0V
3V
t
TRANSITION
Test Circuit 4. Transition Time, t
TRANSITION
V
S
V
DD
V
DD
EN
A1
A0
50
2.4V
0.1 F
S1A
S1B
V
SS
GND
D1
V
SS
V
S
V
OUT
R
L
300
C
L
35pF
0.1 F
t
BBM
80%
80%
ADDRESS
DRIVE (V
IN
)
V
OUT
0V
3V
Test Circuit 5. Break-Before-Make Delay, t
BBM
V
DD
V
DD
EN
A1
A0
0.1 F
S1A
S1B
V
SS
GND
D1
V
SS
V
S
V
OUT
R
L
300
C
35pF
0.1 F
V
S
50
50%
50%
0.9V
0
0.9V
0
ENABLE
DRIVE (V
IN
)
OUTPUT
t
ON
(EN)
0V
3V
t
OFF
(EN)
V
0
0V
Test Circuit 6. Enable Delay, t
ON
(EN), t
OFF
(EN)
I
DS
V1
S
D
R
ON
= V1/I
DS
V
S
Test Circuit 1. On Resistance
S
D
V
S
A
A
V
D
I
S
(OFF)
I
D
(OFF)
Test Circuit 2. Off Leakage
S
D
A
V
D
I
D
(ON)
NC
Test Circuit 3. On Leakage
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PDF描述 |
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| ADG636YRUZ | 制造商:Analog Devices 功能描述:IC DUAL SPDT SWITCH |
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