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參數資料
| 型號： | ADG636 |
| 廠商： | Analog Devices, Inc. |
| 英文描述： | 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch |
| 中文描述： | 1件電荷注入，100功率放大器泄漏CMOS 5伏/ 5伏/ 3伏雙路SPDT開關 |
| 文件頁數： | 7/12頁 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | ADG636 |
REV. 0
ADG636
–7–
0
250
V
D
, V
S
– V
–5
O
100
–2
2
5
200
150
50
–4
–3
–1
0
1
3
4
T
A
= 25 C
V
DD
, V
SS
= 2.5V
V
DD
, V
SS
= 3V
V
DD
, V
SS
= 3.3V
V
DD
, V
SS
= 4.5V
V
DD
, V
SS
= 5V
TPC 1. On Resistance vs. V
D
(V
S
). Dual Supply
0
600
V
D
, V
S
–
V
0
O
–
300
1.5
3.5
5.0
500
400
200
0.5
1.0
2.0
2.5
3.0
4.0
4.5
100
V
DD
= 3V
V
DD
= 2.7V
T
A
= 25 C
V
SS
= 0V
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 4.5V
V
DD
= 5V
TPC 2. On Resistance vs. V
D
(V
S
). Single Supply
0
180
V
D
, V
S
–
V
O
–
80
140
120
60
20
V
DD
= +5V
V
SS
=
–
5V
160
100
40
–
5
–
2
2
5
–
4
–
3
–
1
0
1
3
4
T
A
= +125 C
T
A
= +85 C
T
A
= +25 C
T
A
=
–
40 C
TPC 3. On Resistance vs. V
D
(V
S
) for Different
Temperatures. Dual Supply
0
350
V
D
, V
S
–
V
0
O
–
150
1.5
3.5
5.0
300
200
100
0.5
1.0
2.0
2.5
3.0
4.0
4.5
50
V
DD
= 5V
V
SS
= 0V
250
T
A
= +125 C
T
A
= +85 C
T
A
= +25 C
T
A
=
–
40 C
TPC 4. On Resistance vs. V
D
(V
S
) for Different
Temperatures. Single Supply
–
15
5
TEMPERATURE
–
C
0
C
–
–
3
3
–
1
–
5
20
40
60
80
–
7
1
100
120
V
DD
= +5V
V
SS
=
–
5V
–
13
–
11
–
9
I
S
(OFF)
I
D
(OFF)
I
D
, I
S
(ON)
TPC 5. Leakage Currents vs. Temperatures. Dual Supply
–
15
5
TEMPERATURE
–
C
0
C
–
–
3
3
–
1
–
5
20
40
60
80
–
7
1
100
120
V
DD
= 5V
V
SS
= 0V
–
13
–
11
–
9
I
D
(OFF)
I
S
(OFF)
I
D
, I
S
(ON)
TPC 6. Leakage Currents vs. Temperature. Single Supply
Typical Performance Characteristics
–
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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