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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ADG636 |
| 廠商： | Analog Devices, Inc. |
| 英文描述： | 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch |
| 中文描述： | 1件電荷注入，100功率放大器泄漏CMOS 5伏/ 5伏/ 3伏雙路SPDT開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | ADG636 |
REV. 0
ADG636
–8–
–
2.0
1.0
V
S
–
V
–
5
C
–
0.5
–
4
–
2
0
1
0
3
5
–
1.5
–
1.0
–
0.5
–
3
–
1
2
4
V
DD
= 5V
V
SS
= 0V
V
DD
= 3V
V
SS
= 0V
V
DD
= +5V
V
SS
=
–
5V
T
A
= 25 C
TPC 7. Charge Injection vs. Source Voltage
0
–
40
250
TEMPERATURE
–
C
T
–
–
20
20
60
80
200
120
50
100
150
0
40
100
T
A
= 25 C
V
DD
= +5V
V
SS
=
–
5V
V
DD
= +5V
V
SS
=
–
5V
V
DD
= 5V
V
SS
= 0V
V
DD
= 5V
V
SS
= 0V
t
ON
t
OFF
TPC 8. t
ON
/t
OFF
Enable Timing vs. Temperature
–
90
–
80
–
70
–
60
–
50
–
40
–
30
–
20
–
10
0
FREQUENCY
–
MHz
0.3
1
10
100
1000
A
–
T
A
= 25 C
V
DD
= +5V
V
SS
= 0V
V
DD
= +5V
V
SS
=
–
5V
TPC 9. Off Isolation vs. Frequency
–
90
–
80
–
70
–
60
–
50
–
40
–
30
–
20
–
10
0
FREQUENCY
–
MHz
0.3
10
100
1000
A
–
1
T
A
= 25 C
V
DD
= +5V
V
SS
= 0V
V
DD
= +5V
V
SS
=
–
5V
TPC 10. Crosstalk vs. Frequency
–
18
–
16
–
14
–
12
–
10
–
8
–
6
–
4
–
2
0
FREQUENCY
–
MHz
0.3
1
10
100
1000
A
–
T
A
= 25 C
V
DD
= +5V
V
SS
=
–
5V
V
DD
= +5V
V
SS
= 0V
TPC 11. On Response vs. Frequency
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| ADG658 | +3 V/+5 V/【5 V CMOS 4-/8-Channel Analog Multiplexers |
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參數(shù)描述 |
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| ADG636YRUZ | 制造商:Analog Devices 功能描述:IC DUAL SPDT SWITCH |
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