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參數資料
| 型號： | APT25GP90BDQ1G |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 442K |
| 代理商： | APT25GP90BDQ1G |
050-7476
Rev
A
11-2005
APT25GP90BDQ1(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
D = 0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
5,000
1,000
500
100
50
10
120
100
80
60
40
20
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
5
15
25
35
45
55
65
75
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50%
VCE = 600V
RG = 4.3
270
100
50
10
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
C
oes
C
res
C
ies
0.131
0.168
0.00852
0.154
RC MODEL
Case temperature(°C)
Junction
temp (°C)
Power
(watts)
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT3010BNFR | 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT30M85BNFR | 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT30GN60B | 63 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT30GN60B | 63 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT30GN60BG | 63 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT25GP90BG | 功能描述:IGBT 900V 72A 417W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT25GR120B | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APT25GR120BD15 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 1200V 75A 521W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APT25GR120BSCD10 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 1200V 75A 521W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE TRANSISTOR 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES |
| APT25GR120S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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