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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT25GP90BDQ1G |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 442K |
| 代理商： | APT25GP90BDQ1G |
050-7476
Rev
A
11-2005
APT25GP90BDQ1(G)
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
APT15DQ100
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT3010BNFR | 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT30M85BNFR | 40 A, 300 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT30GN60B | 63 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT30GN60B | 63 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT30GN60BG | 63 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| APT25GR120B | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APT25GR120BD15 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 1200V 75A 521W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APT25GR120BSCD10 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 1200V 75A 521W TO247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE TRANSISTOR 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES |
| APT25GR120S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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