- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄48371 > APT60GF120JRD (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | APT60GF120JRD |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | APT60GF120JRD |
052-6259
Rev
B
8-2002
APT60GF120JRD
VCE = 800V
RG = 5
L = 100 H
VGE = 15V
TJ=25°C
TJ=125°C
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
VCE = 800V
VGE = +15V
RG = 5
VCE = 800V
VGE = +15V
RG = 5
VCE = 800V
VGE = +15V
RG = 5
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
ON2
,TURN
ON
ENERGY
LOSS
(J)
t r,
RISE
TIME
(ns)
t d(ON)
,TURN-ON
DELAY
TIME
(ns)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
OFF
,TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(J)
t f,
FALL
TIME
(ns)
t d
(OFF)
,TURN-OFF
DELAY
TIME
(ns)
10
20
30
40
50
60
70
0
20
40
60
80
100
120
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
10
20
30
40
50
60
70
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110120
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
0
10
20
30
-25
0
25
50
75
100
125
800
700
600
500
400
300
200
100
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
18000
16000
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
35000
30000
25000
20000
15000
10000
5000
0
70
60
50
40
30
20
10
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
35000
30000
25000
20000
15000
10000
5000
0
25000
20000
15000
10000
5000
0
Eon2 30A
Eon2 60A
Eoff 60A
Eoff 30A
Eoff 120A
Eoff 30A
Eoff60A
Eon2 30A
Eon2 60A
Eon2 120A
VCE = 800V
TJ = 25°C, TJ =125°C
RG = 5
L = 100 H
VGE= 15V
VCE = 800V
RG = 5
L = 100 H
VGE = 15V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
VCE = 800V
RG = 5
L = 100 H
VGE = 15V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
=125°C
T
J
= 25°C
VCE = 800V
VGE = +15V
TJ = 125°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT60GF120JRD | 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT60GF60JRDQ3 | 149 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT60GF60JU3 | 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT65GP60JDF2 | 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GN120B2G | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT60GF120JRDQ3 | 功能描述:IGBT 1200V 149A 625W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT60GF60JU2 | 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT60GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT60GL120JU2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP? Boost chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module |
| APT60GL120JU2_10 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP?? Boost chopper Trench Field Stop IGBT4 Power module |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。