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參數資料
| 型號： | APT60GF120JRD |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | APT60GF120JRD |
052-6259
Rev
B
8-2002
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
36
10
5
1
0.25
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.05
D=0.5
0.2
0.02
0.01
0.1
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
10,000
5,000
1,000
500
100
400
350
300
250
200
150
100
50
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Reverse Bias Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector
Current
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 800V
RG = 5
Cres
Cies
Coes
max
max1
max 2
max1
d (on )
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on 2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R θ
=
++
+
=
+
=
APT60GF120JRD
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT60GF120JRD | 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT60GF60JRDQ3 | 149 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT60GF60JU3 | 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT65GP60JDF2 | 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GN120B2G | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT60GF120JRDQ3 | 功能描述:IGBT 1200V 149A 625W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT60GF60JU2 | 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT60GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT60GL120JU2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP? Boost chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module |
| APT60GL120JU2_10 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP?? Boost chopper Trench Field Stop IGBT4 Power module |
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