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參數資料
| 型號： | APT60GF120JRD |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | APT60GF120JRD |
052-6259
Rev
B
8-2002
APT60GF120JRD
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
I F
,FORWARD
CURRENT
(nano-SECONDS)
(AMPERES)
t fr
,FORWARD
RECOVERY
TIME
K
f,
DYNAMIC
PARAMETERS
Q
rr
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
(nano-SECONDS)
(NORMALIZED)
(nano-COULOMBS)
V
fr
,FORWARD
RECOVERY
VOLTAGE
(VOLTS)
TJ = 100°C
VR = 650V
TJ = 100°C
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -55°C
trr
IRRM
Qrr
trr
60A
30A
120A
60A
30A
120A
30A
60A
tfr
0
1
2
3
4
5
10
50
100
500
1000
0
200
400
600
800
1000
-50
-25
0
25
50
75
100 125
150
0
200
400
600
800
1000
0
200
400
600
800
1000
5000
4000
3000
2000
1000
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
1500
1250
1000
750
500
250
0
Vfr
30
25
20
15
10
5
0
TJ = 100°C
VR = 650V
IF =60A
TJ = 100°C
VR = 650V
TJ = 100°C
VR = 650V
VF, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (VOLTS)
diF /dt, CURRENT SLEW RATE (AMPERES/SEC)
Figure 2, Forward Voltage Drop vs Forward Current
Figure 3, Reverse Recovery Charge vs Current Slew Rate
diF /dt, CURRENT SLEW RATE (AMPERES/SEC)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 4, Reverse Recovery Current vs Current Slew Rate
Figure 5, Dynamic Parameters vs Junction Temperature
diF /dt, CURRENT SLEW RATE (AMPERES/SEC)
Figure 6, Reverse Recovery Time vs Current Slew Rate
Figure 7, Forward Recovery Voltage/Time vs Current Slew Rate
200
160
120
80
40
0
60
45
30
15
0
300
240
180
120
60
0
120A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT60GF120JRD | 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT60GF60JRDQ3 | 149 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT60GF60JU3 | 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT65GP60JDF2 | 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT75GN120B2G | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT60GF120JRDQ3 | 功能描述:IGBT 1200V 149A 625W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT60GF60JU2 | 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT60GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 93A 378W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT60GL120JU2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP? Boost chopper Trench + Field Stop IGBT4 Power module |
| APT60GL120JU2_10 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP?? Boost chopper Trench Field Stop IGBT4 Power module |
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