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參數資料
| 型號： | APTC60AM45T1G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 49 A, 600 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 313K |
| 代理商： | APTC60AM45T1G |
APTC60AM45T1G
APT
C
60AM45T1G
–
Re
v0
Augus
t,2007
www.microsemi.com
4 – 6
Typical Performance Curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
erm
al
I
m
ped
ance
(
°C/
W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
4V
4.5V
5V
5.5V
6V
6.5V
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
0
5
10
15
20
25
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rr
ent
(A)
VGS=15&10V
Low Voltage Output Characteristics
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
120
140
01
23
4
5
67
VGS, Gate to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cur
ren
t(A)
VDS > ID(on)xRDS(on)MAX
250s pulse test @ < 0.5 duty cycle
RDS(on) vs Drain Current
VGS=10V
VGS=20V
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
1.2
1.25
1.3
0
2040
6080
100 120 140
ID, Drain Current (A)
R
DS
(o
n)
Dr
ai
n
t
o
So
u
rce
ON
Resi
st
an
ce
Normalized to
VGS=10V @ 50A
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
I D
,DC
Drai
n
Cu
rr
en
t(A
)
DC Drain Current vs Case Temperature
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTC60AM70T1G | 39 A, 600 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60DAM24T1G | 95 A, 600 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60DSKM70T3 | 39 A, 600 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60DSKM70T3 | 39 A, 600 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60HM45T1G | 49 A, 600 V, 0.045 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTC60AM70T1G | 功能描述:MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:* |
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| APTC60AM83BC1G | 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態:停產 FET 類型:3 N 溝道（相角 + 升壓斬波電路） FET 功能:超級結 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:36A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:83 毫歐 @ 24.5A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 |
| APTC60BBM24T3G | 功能描述:MOSFET N CH 600V 95A SP3F RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:CoolMOS™ 標準包裝:10 系列:* |
| APTC60DAM18CTG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 143A SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:* |
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