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參數資料
| 型號： | APTC60AM45T1G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 49 A, 600 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 313K |
| 代理商： | APTC60AM45T1G |
APTC60AM45T1G
APT
C
60AM45T1G
–
Re
v0
Augus
t,2007
www.microsemi.com
5 – 6
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
Breakdown Voltage vs Temperature
BV
DS
S,
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ai
n
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S
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N
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ON resistance vs Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
R
DS
(on
),
Drai
n
to
So
ur
ce
ON
r
esi
st
an
ce
(N
or
m
al
ize
d)
VGS=10V
ID= 50A
Threshold Voltage vs Temperature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
V
GS
(TH)
,T
h
resho
ld
V
o
lt
age
(N
or
m
ali
ze
d)
Maximum Safe Operating Area
10 ms
1 ms
100 s
1
10
100
1000
1
10
100
1000
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cur
ren
t
(A)
limited by RDSon
Single pulse
TJ=150°C
TC=25°C
Ciss
Crss
Coss
10
100
1000
10000
100000
0
1020
3040
50
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C,
Cap
aci
tan
ce
(p
F)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
VDS=120V
VDS=300V
VDS=480V
0
2
4
6
8
10
12
0
20 40 60 80 100 120 140 160
Gate Charge (nC)
V
GS
,Ga
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to
So
u
rce
Vo
lt
ag
e(
V
)
Gate Charge vs Gate to Source Voltage
ID=50A
TJ=25°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTC60AM70T1G | 39 A, 600 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60DAM24T1G | 95 A, 600 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60DSKM70T3 | 39 A, 600 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60DSKM70T3 | 39 A, 600 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60HM45T1G | 49 A, 600 V, 0.045 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTC60AM70T1G | 功能描述:MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:* |
| APTC60AM83B1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - COOLMOS - Bulk |
| APTC60AM83BC1G | 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態:停產 FET 類型:3 N 溝道（相角 + 升壓斬波電路） FET 功能:超級結 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:36A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:83 毫歐 @ 24.5A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 |
| APTC60BBM24T3G | 功能描述:MOSFET N CH 600V 95A SP3F RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:CoolMOS™ 標準包裝:10 系列:* |
| APTC60DAM18CTG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 143A SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:* |
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