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參數資料
型號: APTC60AM45T1G
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: JFETs
英文描述: 49 A, 600 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數: 6/6頁
文件大小: 313K
代理商: APTC60AM45T1G
APTC60AM45T1G
APT
C
60AM45T1G
Re
v0
Augus
t,2007
www.microsemi.com
6 – 6
TJ=25°C
TJ=150°C
1
10
100
1000
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
VSD, Source to Drain Voltage (V)
I DR
,Re
ver
se
Dr
ai
n
Cu
rr
ent
(A)
Source to Drain Diode Forward Voltage
Delay Times vs Current
td(on)
td(off)
0
20
40
60
80
100
120
140
0
10 203040 50 607080
ID, Drain Current (A)
t d(
o
n
)an
d
t
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f)(n
s)
VDS=400V
RG=5
TJ=125°C
L=100H
Rise and Fall times vs Current
tr
tf
0
10
20
30
40
50
60
70
0
1020
3040
5060
7080
ID, Drain Current (A)
t r
an
d
t
f(ns)
VDS=400V
RG=5
TJ=125°C
L=100H
Switching Energy vs Current
Eon
Eoff
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
1020 3040 50 60 7080
ID, Drain Current (A)
Sw
it
ch
ing
En
er
gy
(
m
J)
VDS=400V
RG=5
TJ=125°C
L=100H
Eon
Eoff
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
1020
3040
50
Gate Resistance (Ohms)
Swi
tchi
n
g
E
n
er
gy
(m
J)
Switching Energy vs Gate Resistance
VDS=400V
ID=50A
TJ=125°C
L=100H
hard
switching
ZCS
ZVS
0
50
100
150
200
250
300
5 1015 202530 35 40 4550
ID, Drain Current (A)
Fr
eque
nc
y(
kH
z)
Operating Frequency vs Drain Current
VDS=400V
D=50%
RG=5
TJ=125°C
TC=75°C
“COOLMOS comprise a new family of transistors developed by Infineon Technologies AG. “COOLMOS” is a trademark of Infineon
Technologies AG”.
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTC60AM70T1G 39 A, 600 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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