- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄48373 > APTC60AM70T1G (MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP) 39 A, 600 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APTC60AM70T1G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 39 A, 600 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大小： | 322K |
| 代理商： | APTC60AM70T1G |
APTC60AM70T1G
APT
C
60AM70T1G
–
Re
v0
A
ugus
t,200
7
www.microsemi.com
4 – 6
Typical Performance Curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Th
erm
al
I
m
ped
ance
(
°C/
W)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
4V
4.5V
5V
5.5V
6V
6.5V
0
40
80
120
160
200
0
5
10
15
20
25
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rr
ent
(A)
VGS=15&10V
Low Voltage Output Characteristics
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
20
40
60
80
100
120
140
01
23
4
5
67
VGS, Gate to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cur
ren
t(A)
VDS > ID(on)xRDS(on)MAX
250s pulse test @ < 0.5 duty cycle
RDS(on) vs Drain Current
VGS=10V
VGS=20V
0.9
0.95
1
1.05
1.1
0
10
203040
5060
ID, Drain Current (A)
R
DS
(o
n)
Dr
ai
n
t
o
So
u
rce
ON
Resi
st
an
ce
Normalized to
VGS=10V @ 19.5A
0
5
10
15
20
25
30
35
40
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
I D
,DC
Drai
n
Cu
rr
en
t(A
)
DC Drain Current vs Case Temperature
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTC60DAM24T1G | 95 A, 600 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60DSKM70T3 | 39 A, 600 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60DSKM70T3 | 39 A, 600 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60HM45T1G | 49 A, 600 V, 0.045 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60TAM35P | 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTC60AM83B1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - COOLMOS - Bulk |
| APTC60AM83BC1G | 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:3 N 溝道（相角 + 升壓斬波電路） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:83 毫歐 @ 24.5A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| APTC60BBM24T3G | 功能描述:MOSFET N CH 600V 95A SP3F RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:CoolMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
| APTC60DAM18CTG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 143A SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
| APTC60DAM24CT1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。