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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APTC60AM70T1G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 39 A, 600 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 322K |
| 代理商： | APTC60AM70T1G |
APTC60AM70T1G
APT
C
60AM70T1G
–
Re
v0
A
ugus
t,200
7
www.microsemi.com
5 – 6
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
Breakdown Voltage vs Temperature
BV
DS
S,
Dr
ai
n
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S
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Br
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kd
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N
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ON resistance vs Temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
R
DS
(on
),
Drai
n
to
So
ur
ce
ON
r
esi
st
an
ce
(N
or
m
al
ize
d)
VGS=10V
ID= 39A
Threshold Voltage vs Temperature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
V
GS
(TH)
,T
h
resho
ld
V
o
lt
age
(N
or
m
ali
ze
d)
Maximum Safe Operating Area
10 ms
1 ms
100 s
1
10
100
1000
1
10
100
1000
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cur
ren
t
(A)
limited by RDSon
Single pulse
TJ=150°C
TC=25°C
Ciss
Crss
Coss
10
100
1000
10000
100000
0
1020
3040
50
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C,
Cap
aci
tan
ce
(p
F)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
VDS=120V
VDS=300V
VDS=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
50
100
150
200
250
300
Gate Charge (nC)
V
GS
,Ga
te
to
So
u
rce
Vo
lt
ag
e(
V
)
Gate Charge vs Gate to Source Voltage
ID=39A
TJ=25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTC60DAM24T1G | 95 A, 600 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60DSKM70T3 | 39 A, 600 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60DSKM70T3 | 39 A, 600 V, 0.07 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60HM45T1G | 49 A, 600 V, 0.045 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTC60TAM35P | 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| APTC60DAM24CT1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES |
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