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參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF165A60D1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-7
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 178K
代理商： APTGF165A60D1G
APTGF165A60D1G
APT
G
F165A60D1G
–
Rev
2
Decem
ber
,2009
www.microsemi.com
3- 4
Thermal and package characteristics
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.16
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance
Diode
0.30
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
4000
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
For terminals
M5
2
3.5
Torque Mounting torque
To Heatsink
M6
3
5
N.m
Wt
Package Weight
180
g
D1 Package outline (dimensions in mm)
Typical Performance Curve
hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
70
0
50
100
150
200
250
IC (A)
Fmax,
O
p
era
ting
Fr
equency
(
k
H
z
)
VCE=300V
D=50%
RG=16
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
VF (V)
I F
(A
)
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Ther
m
a
lI
m
p
e
dance
(
°C
/W
)
Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF165DA60D1 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF165DA60D1 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF165SK60D1G 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF180DH60G 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF180DH60 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF165DA60D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper NPT IGBT Power Module
APTGF165DA60D1G 功能描述:IGBT 600V 230A 730W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGF165SK60D1G 功能描述:IGBT 600V 230A 730W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF180A60D3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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