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參數資料
| 型號： | APTGF165A60D1G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-7 |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | APTGF165A60D1G |
APTGF165A60D1G
APT
G
F165A60D1G
–
Rev
2
Decem
ber
,2009
www.microsemi.com
4- 4
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
00.5
11.5
22.5
33.5
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
100
200
300
400
01
234
5
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
100
200
300
400
56
78
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
Err
0
5
10
15
20
0
100
200
300
400
IC (A)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 16
TJ = 125°C
Eon
Eoff
Err
0
5
10
15
20
25
30
0
20
406080
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J
)
VCE = 300V
VGE =15V
IC = 200A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Safe Operating Area
0
100
200
300
400
500
0
100
200
300
400
500
600
VCE (V)
I C
(A)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=16
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0.18
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
a
lIm
pe
danc
e
(°
C/W)
IGBT
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103
5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF165DA60D1 | 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF165DA60D1 | 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF165SK60D1G | 230 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF180DH60G | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF180DH60 | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGF165DA60D1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost Chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF165DA60D1G | 功能描述:IGBT 600V 230A 730W D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGF165SK60D1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module |
| APTGF165SK60D1G | 功能描述:IGBT 600V 230A 730W D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGF180A60D3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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