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參數(shù)資料
| 型號： | BD442 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管) |
| 中文描述： | Complemetary硅功率晶體管（互補(bǔ)硅功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | BD442 |
BD439/BD440
BD441/BD442
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
I
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
DESCRIPTION
The BD439 and BD441 are silicon epitaxial-base
NPN power transistors in Jedec SOT-32 plastic
package, intented for use in power linear and
switching applications.
The complementary PNP types are BD440, and
BD442 respectively.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
May 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
NPN
PNP
BD439
BD440
60
60
60
BD441
BD442
80
80
80
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
≤
10 ms)
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤ 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
5
4
7
1
36
-65 to 150
150
3
21
SOT-32
1/4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD440 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD533FP | Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管) |
| BD534FP | Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管) |
| BD537 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管) |
| BD536 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD442G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD442S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD442STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD449 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS |
| BD45000 | 功能描述:以太網(wǎng)和電信連接器 RJ CRIMPING TOOL RoHS:否 制造商:Pulse 產(chǎn)品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點(diǎn)數(shù)量: 安裝風(fēng)格:Through Hole 端口數(shù)量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點(diǎn)電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級: |
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