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CSD87334Q3DT

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD87334Q3DT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質：營業執照
0
Ti
(DPB)
21
-
瑞智芯只有原裝

CSD87334Q3DT
深圳市德江源電子有限公司
深圳市德江源電子有限公司
聯系人：張先生
電話：8296641615986789713
地址：深圳市福田區華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室
資質：營業執照
3000
TI/德州儀器
VSON-CLIP-8
-
只做原裝，假一賠十

CSD87334Q3DT
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
100000
TEXAS INSTRUMENTS
N/A
15+
-
原裝正品價格優勢！

CSD87334Q3DT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
29289
TI/德州儀器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原裝

CSD87334Q3DT
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
6250
TI
VSON-CLIP8
15+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共11條
1

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CSD87334Q3DT PDF下載

功能描述
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
2 N 溝道（雙）非對稱型
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
-
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
6 毫歐 @ 12A，8V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
8.3nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
1260pF @ 15V
功率 - 最大值
6W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商器件封裝
8-VSON（3.3x3.3）
標準包裝
1

CSD87334Q3DT 技術參數

CSD87333Q3DT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.3 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87333Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.3 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87331Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V，1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:518pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON（5x6）標準包裝:1 CSD87330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87313DMST 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:28nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4290pF @ 15V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應商器件封裝:8-WSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET CSD87588N CSD87588NEVM-603 CSD87588NT CSD88537ND CSD88537NDT CSD88539ND