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CSD87335Q3D

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CSD87335Q3D
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生 13360533550
電話：0755-83289799
地址：深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層香港新界葵興葵康大廈6樓
資質：營業執照
37188
TI(德州儀器)
22+
-
原裝原廠現貨

CSD87335Q3D
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
250
TI
N/A
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

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深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
11631
TI/德州儀器
LSON8
24+
-
全新原裝正品現貨熱賣

CSD87335Q3D
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
TI
QFN
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

CSD87335Q3D
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
69391
Texas Instruments
LSON-CLIP-8
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

CSD87335Q3D
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

CSD87335Q3D
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
3000
N/A
NEW AND ORIGINAL
23+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

CSD87335Q3D
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯系人：許先生
電話：18898761413
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
2500
TI/德州儀器
LSON8
24+
-
原裝正品，可含稅供應。品質保障

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功能描述
MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
2 N 溝道（雙）非對稱型
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
-
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.9V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
7.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
1050pF @ 15V
功率 - 最大值
6W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerLDFN
供應商器件封裝
8-LSON（3.3x3.3）
標準包裝
1

CSD87335Q3D 技術參數

CSD87334Q3DT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 12A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1260pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87333Q3DT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.3 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87333Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.3 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87331Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V，1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:518pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON（5x6）標準包裝:1 CSD87330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET CSD87588N CSD87588NEVM-603 CSD87588NT CSD88537ND CSD88537NDT CSD88539ND CSD88539NDT

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