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DFE201612R-H-2R2M=P2

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  • 型號
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  • 數量
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
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  • DFE201612R-H-2R2M=P2
    DFE201612R-H-2R2M=P2

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • TOKO

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  • DFE201612R-H-2R2M=P2
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 6000

  • Murata Electronics North

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
DFE201612R-H-2R2M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 154 mOhm Max
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • DFE201612R
  • 包裝
  • *
  • 零件狀態
  • 新產品
  • 類型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵粉
  • 電感
  • 2.2μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 1.4A
  • 電流 - 飽和值
  • 1.7A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻(DCR)
  • 154 毫歐最大
  • 不同頻率時的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 85°C
  • 頻率 - 測試
  • 1MHz
  • 安裝類型
  • *
  • 封裝/外殼
  • *
  • 大小/尺寸
  • *
  • 高度 - 安裝(最大值)
  • *
  • 標準包裝
  • 1
DFE201612R-H-2R2M=P2 技術參數
  • DFE201612R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2A 94 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612R 包裝:* 零件狀態:新產品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):94 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 DFE201612R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.6A 70 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612R 包裝:* 零件狀態:新產品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.6A 電流 - 飽和值:2.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):70 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝(最大值):* 標準包裝:1 DFE201612P-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 4.8A 33 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:4.8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):33 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 DFE201612P-R33M=P2 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 5.6A 28 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:330nH 容差:±20% 額定電流:5.6A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):28 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 DFE201612P-R24M=P2 功能描述:240nH Shielded Wirewound Inductor 6.5A 23 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:240nH 容差:±20% 額定電流:6.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):23 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 DFE252010F-1R5M=P2 DFE252010F-2R2M=P2 DFE252010F-3R3M=P2 DFE252010F-4R7M=P2 DFE252010F-6R8M=P2 DFE252010F-8R2M=P2 DFE252010F-R33M=P2 DFE252010F-R47M=P2 DFE252010F-R68M=P2 DFE252010F-R82M=P2 DFE252010P-1R0M=P2 DFE252010P-1R2M=P2 DFE252010P-1R5M=P2 DFE252010P-2R2M=P2 DFE252010P-3R3M=P2 DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-R33M=P2 DFE252010P-R47M=P2
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