欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > D字母型號搜索 > D字母第1491頁 >

DFE201612R-H-R47M=P2

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DFE201612R-H-R47M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

1/1頁 40條/頁共6條
1

您是不是要找： DFE252008C-1R0M=P2 DFE252008C-1R5M=P2 DFE252008C-2R2M=P2 DFE252008C-3R3M=P2 DFE252008C-4R7M=P2 DFE252008C-R47M=P2 DFE252010F-100M=P2 DFE252010F-1R0M=P2 DFE252010F-1R5M=P2

DFE201612R-H-R47M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DFE201612R-H-R47M=P2 PDF下載

功能描述
470nH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 40 mOhm Max
制造商
murata electronics north america
系列
DFE201612R
包裝
*
零件狀態
新產品
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
470nH
容差
±20%
額定電流
3.2A
電流 - 飽和值
3.5A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
40 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 85°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
*
封裝/外殼
*
大小/尺寸
*
高度 - 安裝（最大值）
*
標準包裝
1

DFE201612R-H-R47M=P2 技術參數

DFE201612R-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 154 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612R 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.4A 電流 - 飽和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:154 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE201612R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2A 94 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612R 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:94 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE201612R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.6A 70 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612R 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.6A 電流 - 飽和值:2.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:70 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE201612P-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 4.8A 33 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:470nH 容差:±20% 額定電流:4.8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:33 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE201612P-R33M=P2 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 5.6A 28 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:330nH 容差:±20% 額定電流:5.6A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:28 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE252010F-2R2M=P2 DFE252010F-3R3M=P2 DFE252010F-4R7M=P2 DFE252010F-6R8M=P2 DFE252010F-8R2M=P2 DFE252010F-R33M=P2 DFE252010F-R47M=P2 DFE252010F-R68M=P2 DFE252010F-R82M=P2 DFE252010P-1R0M=P2 DFE252010P-1R2M=P2 DFE252010P-1R5M=P2 DFE252010P-2R2M=P2 DFE252010P-3R3M=P2 DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-R33M=P2 DFE252010P-R47M=P2 DFE252010P-R68M=P2