| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI8800EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT | 14,878 | 1:$0.56000 25:$0.38880 100:$0.33330 250:$0.28784 500:$0.24746 1,000:$0.19190 |
| SI8800EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT | 12,000 | 3,000:$0.15655 6,000:$0.14645 15,000:$0.13635 30,000:$0.12878 75,000:$0.12625 150,000:$0.12120 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | - |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 80 毫歐 @ 1A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 8.3nC @ 8V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 500mW |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供應商設備封裝: | 4-Microfoot |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |