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EPC2019

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2019
    EPC2019

    EPC2019

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:曹先生/高先生/周小姐

    電話:134878658521852080514813760272017

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 48390

  • EPC

  • Die

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • EPC2019
    EPC2019

    EPC2019

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • EPC2019
    EPC2019

    EPC2019

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • EPC

  • 帶卷(TR)

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
EPC2019 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • GaNFET N 通道,氮化鎵
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 8.5A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 50 毫歐 @ 7A、5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 1.5mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 2.5nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 270pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應商器件封裝
  • 模具
  • 標準包裝
  • 1
EPC2019 技術參數(shù)
  • EPC2018 功能描述:TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 6A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2016C 功能描述:TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 11A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):420pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2016 功能描述:TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 11A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):520pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2015CENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):36A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 毫歐 @ 33A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1000pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具剖面(11 焊條) 標準包裝:1 EPC2015C 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):36A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 毫歐 @ 33A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1000pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2023 EPC2023ENG EPC2023ENGR EPC2024 EPC2024ENG EPC2024ENGR EPC2025 EPC2025ENGR EPC2029 EPC2029ENGR EPC2029ENGRT EPC2030 EPC2030ENGR EPC2030ENGRT EPC2031 EPC2031ENGR EPC2031ENGRT EPC2032
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