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EPC2030

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2030ENGRT
    EPC2030ENGRT

    EPC2030ENGRT

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：曹先生/高先生/周小姐

    電話：134878658521852080514813760272017

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 96139

  • EPC

  • Die

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • EPC2030ENGRT
    EPC2030ENGRT

    EPC2030ENGRT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質：營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • EPC2030ENGR
    EPC2030ENGR

    EPC2030ENGR

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 1700

  • EPC

  • 托盤

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
EPC2030 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET NCH 40V 31A DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • GaNFET（氮化鎵）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 40V
  • 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
  • 31A（Ta）
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 16mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 18nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 1900pF @ 20V
  • FET 功能
  • -
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 2.4 毫歐 @ 30A，5V
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 標準包裝
  • 1
EPC2030 技術參數
  • EPC2029ENGRT 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:無貨 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2029ENGR 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態:過期 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:10 EPC2029 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:48A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1410pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2025ENGR 功能描述:TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 3A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.85nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:194pF @ 240V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具剖面（12 焊條） 標準包裝:10 EPC2025 功能描述:TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 3A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:194pF @ 240V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2033ENGR EPC2033ENGRT EPC2034 EPC2034ENGR EPC2034ENGRT EPC2035 EPC2036 EPC2036ENGRT EPC2037 EPC2037ENGR EPC2038 EPC2038ENGR EPC2039 EPC2039ENGRT EPC2040 EPC2040ENGR EPC2040ENGRT EPC2045ENGRT
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