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EPC2020

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數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

EPC2020
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

EPC2020ENG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
2900
EPC
托盤
1521+
-
全新原裝現貨

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功能描述
TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
GaNFET N 通道，氮化鎵
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
90A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
2.2 毫歐 @ 31A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 16mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
16nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
1780pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
標準包裝
1

EPC2020 技術參數

EPC2019ENG 功能描述:TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 7A、5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2019 功能描述:TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 7A、5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2018 功能描述:TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2016C 功能描述:TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 11A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:420pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2016 功能描述:TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 11A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:520pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2023ENGR EPC2024 EPC2024ENG EPC2024ENGR EPC2025 EPC2025ENGR EPC2029 EPC2029ENGR EPC2029ENGRT EPC2030 EPC2030ENGR EPC2030ENGRT EPC2031 EPC2031ENGR EPC2031ENGRT EPC2032 EPC2032ENGR EPC2032ENGRT