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參數資料
| 型號： | FD800R33KF2 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | IGBT-Module |
| 中文描述： | IGBT的模塊 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | FD800R33KF2 |
Technische Information / Technical Information
FD 800 R 33 KF2
IGBT-Module
IGBT-Modules
Datenblatt
data sheet
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC, Zweig / arm 1+2
Diode/Diode, DC, Zweig / arm 3
R
thJC
-
-
-
-
-
-
0,013
0,026
0,026
K/W
K/W
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1 W/m*K /
λ
grease
= 1 W/m*K
R
thCK
-
0,004
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
AlSiC
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Kriechstrecke
creepage distance
32,2
mm
Luftstrecke
clearance
19,1
mm
CTI
comperative tracking index
> 400
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
M1
5
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M4
M2
2
Nm
terminals M8
8 .. 10
Nm
Gewicht
weight
G
1500
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3 (9)
Datenblatt FD 800 R 33 KF21
20.07.99
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDA15N65 | 650V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50_07 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50_F109 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA18N50 | 500V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FD800R33KF2C | 功能描述:IGBT 模塊 3300V 800A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD800R33KF2C-K | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD800R33KL2C-K_B5 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD807-03 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| FD8-10 | 功能描述:電源變壓器 100VA 10V CT @ 10A Dual Primary RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級電壓額定值:115 V / 230 V 次級電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in |
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