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參數資料
| 型號： | FD800R33KF2 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | IGBT-Module |
| 中文描述： | IGBT的模塊 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | FD800R33KF2 |
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FD 800 R 33 KF2
Datenblatt
data sheet
Z
t
[
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
τ
i
[sec]
: IGBT
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
2,38
0,0068
4,76
6,49
0,0642
12,98
1,93
0,3209
3,86
2,20
2,0212
4,40
0,0068
0,0642
0,3209
2,0212
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0,0001
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
Zth:IGBT
Zth:Diode
8 (9)
Datenblatt FD 800 R 33 KF21
20.07.99
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDA15N65 | 650V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50_07 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50_F109 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA18N50 | 500V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FD800R33KF2C | 功能描述:IGBT 模塊 3300V 800A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD800R33KF2C-K | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD800R33KL2C-K_B5 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD807-03 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| FD8-10 | 功能描述:電源變壓器 100VA 10V CT @ 10A Dual Primary RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級電壓額定值:115 V / 230 V 次級電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in |
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