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參數資料
| 型號： | FD800R33KF2 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | IGBT-Module |
| 中文描述： | IGBT的模塊 |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | FD800R33KF2 |
Technische Information / Technical Information
FD 800 R 33 KF2
IGBT-Module
IGBT-Modules
Datenblatt
data sheet
I
C
V
GE
[V]
I
F
V
F
[V]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
5
6
7
8
9
10
11
12
13
T = 25°C
T = 125°C
übertragungscharakteristik (typisch) I
C
= f (V
GE
)
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5 (9)
Datenblatt FD 800 R 33 KF21
20.07.99
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDA16N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50_07 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA16N50_F109 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDA18N50 | 500V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FD800R33KF2C | 功能描述:IGBT 模塊 3300V 800A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD800R33KF2C-K | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.3KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD800R33KL2C-K_B5 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FD807-03 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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