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參數資料
型號: FDA2712
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-Channel UltraFET Trench MOSFET 250V, 64A, 34mヘ
中文描述: 64 A, 250 V, 0.034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, TO-3PN, 3 PIN
文件頁數: 4/8頁
文件大小: 325K
代理商: FDA2712
F
FDA2712 Rev. A
www.fairchildsemi.com
4
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature vs. Temperature
1.2
Figure 9. Maximum Safe Operating Area Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
* Notes :
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature
[
o
C
]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
* Notes :
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 40A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature
[
o
C
]
25
50
T
C
, Case Temperature
[
o
C
]
75
100
125
150
0
20
40
60
80
I
D
,
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
100
μ
s
1ms
10ms
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
* Notes :
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3. Single Pulse
400
100ms
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0.01
0.1
0.2
0.05
0.02
* Notes :
1. Z
θ
JC
(t) = 0.35
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.5
Single pulse
T
[
Z
θ
J
]
Rectangular Pulse Duration [sec]
t
1
P
DM
t
2
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