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參數資料
| 型號： | FDC5612 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 4300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | LEAD FREE, SUPERSOT-6 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | FDC5612 |
F
FDC5612 Rev. C
Typical Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 4.3A
V
GS
= 10V
0
4
8
12
16
20
1
2
3
4
5
6
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
4
8
12
16
20
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 4.0V
10V
5.0V
4.5V
6.0V
8.0V
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 2.2A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 10V
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC5614P | 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET(P溝道PowerTrench MOS場效應管) |
| FDC5614 | 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDC6000NZ | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDC6020C | Complementary PowerTrench MOSFET |
| FDC602P | P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET(門限電壓2.5V的P溝道PowerTrench指定MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDC5612 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SUPERSOT-6 |
| FDC5612_04 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDC5612_F095 | 功能描述:MOSFET 60V 4.3A N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC5612NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin SuperSOT T/R |
| FDC5614 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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