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參數(shù)資料
型號: FDC5612
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
中文描述: 4300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: LEAD FREE, SUPERSOT-6
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大小: 244K
代理商: FDC5612
F
FDC5612 Rev. C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , TIME (sec)
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
1
2
R (t) = r(t) * R
R = 156
°
C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
0
1
2
3
4
5
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 156
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 4.3A
V
DS
= 10V
20V
30V
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 156
o
C/W
T
A
= 25
o
C
R
DS(ON)
LIMIT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC5614P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET(P溝道PowerTrench MOS場效應(yīng)管)
FDC5614 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDC6000NZ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDC6020C Complementary PowerTrench MOSFET
FDC602P P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET(門限電壓2.5V的P溝道PowerTrench指定MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
FDC5612 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SUPERSOT-6
FDC5612_04 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDC5612_F095 功能描述:MOSFET 60V 4.3A N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC5612NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin SuperSOT T/R
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