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參數資料
| 型號： | FDC5612 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 4300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | LEAD FREE, SUPERSOT-6 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | FDC5612 |
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT -6 (FS PKG Code 31, 33)
SuperSOT
TM
-6 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0158
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC5614P | 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET(P溝道PowerTrench MOS場效應管) |
| FDC5614 | 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDC6000NZ | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDC6020C | Complementary PowerTrench MOSFET |
| FDC602P | P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET(門限電壓2.5V的P溝道PowerTrench指定MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDC5612 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SUPERSOT-6 |
| FDC5612_04 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDC5612_F095 | 功能描述:MOSFET 60V 4.3A N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC5612NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin SuperSOT T/R |
| FDC5614 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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