- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375780 > FDR8305N (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDR8305N |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 4500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-8 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | FDR8305N |
SuperSOT
-8 (FS PKG Code 34, 35)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0416
SuperSOT
TM
-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDR8308P | CAP CER 1500PF 630VDC U2J 1210 |
| FDR8321L | CAP CER 2200PF 630VDC U2J 1210 |
| FDR836P | P-Channel 2.5V Specified MOSFET |
| FDR838P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDR840P | Thermoelectric Cooler Controller |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDR8308P | 功能描述:MOSFET SSOT-8 P-CH DUAL -20 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDR8308P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-8 |
| FDR8309P | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDR8321L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch Application |
| FDR836P | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。