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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDR8508P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET |
| 中文描述： | 3000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | FDR8508P |
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DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
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,
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=-10V-6.0V
-4.5V
-4.0V
-3.5V
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0.08
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D
, DRAIN CURRENT (A)
N
V
GS
=-3.5V
-4.0V
-4.5V
-5.5V
-7.0V
-10V
0.7
0.8
0.9
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1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
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50
75
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125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
D
I
D
=-3A
V
GS
=-10V
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
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2
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6
8
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-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
T
J
=125
o
C
o
I
D
=-1.5A
0
4
8
12
16
20
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2
3
4
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-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
=-5V
T
J
=-55
o
C
25
o
125
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
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10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
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1.2
1.4
-V
SD
, BODY DIODE VOLTAGE (V)
-
S
,
T
J
=125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
=0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDR8521L | P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch Application |
| FDR856P | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDR858P | Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| FDR8702H | 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2070N7 | 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDR8508P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-8 |
| FDR8508PQ | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDR8521L | 功能描述:MOSFET SSOT-8 LD SW 3-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDR8521L_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-8 LD SW 3-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDR856P | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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