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參數資料
| 型號： | FDS5682_NL |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 7.5 A, 60 V, 0.021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | LEAD FREE, SO-8 |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 388K |
| 代理商： | FDS5682_NL |
F
FDS5682 Rev. A
www.fairchildsemi.com
6
Figure 11.
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
-80
-40
0
40
80
120
160
1.15
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
Normalized Drain to Source
Figure 12.
100
1000
0.1
1
10
30
3000
60
C
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 13.
0
2
4
6
8
10
0
5
10
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
15
20
25
30
V
G
,
V
DD
= 15V
I
D
= 7.5A
I
D
= 1A
WAVEFORMS IN
Gate Charge Waveforms for Constant Gate Currents
Typical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS5690 | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6064N3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6064N7 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6162N3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6162N7 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS5690 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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| FDS6064N3 | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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