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參數(shù)資料
| 型號： | FDZ2552P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET |
| 中文描述： | 5.5 A, 20 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ULTRA THIN, BGA-18 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | FDZ2552P |
FDZ2552P Rev. A (w)
Dimensional Outline and Pad Layout
NOTES: UNLESS OTHEWISE SPECIFIED
A) ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
F
E
D
C
B
A
3
1
2
3
B
A
1
D
C
E
F
2
2.50
4.00
0.25
0.76
0.51
SEATING PLANE
0.65
3.25
0.30
0.65
1.30
0.65
1.30
3.25
0.65
TOP VIEW
SIDE VIEW
FRONT VIEW
BOTTOM VIEW
RECOMMENDED LAND
PATTERN
INDEX SLOT
(HIDDEN)
INDEX
SLOT
SOLDER BALL,
0.25
GATE 1
GATE 2
L
L
C
SOLDER
BALL,
0.25
C
F
D
C
D
D
D
D
D
D
S1
S1
S1
S1
S1
S2
S2
S2
S2
S2
S1 = Source 1
S2 = Source 2
D = Drain
F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ2553NZ | Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ2553N | Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench |
| FDZ2554PZ | Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ2554P | Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench |
| FDZ291P | P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDZ2553N | 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ2553N_Q | 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ2553NZ | 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ2553NZ_Q | 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ2554P | 功能描述:MOSFET 20V/12V PCh Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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