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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FGA15N120AND |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 中文描述： | 24 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | TO-3PN, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大小： | 574K |
| 代理商： | FGA15N120AND |
FGA15N120AND Rev. A
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
0
2
4
6
0
20
40
60
80
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
20V
17V
15V
12V
V
GE
= 10V
T
C
= 25
℃
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
25
50
75
100
125
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Common Emitter
V
GE
= 15V
24A
I
C
= 15A
C
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0.1
1
10
100
1000
0
10
20
30
Vcc = 600V
load Current : peak of square wave
Duty cycle : 50%
Tc = 100
℃
Powe Dissipation = 40W
L
Frequency [kHz]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
24A
15A
Common Emitter
T
C
= 25
℃
I
C
= 7.5A
C
C
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
24A
15A
Common Emitter
T
C
= 125
℃
I
C
= 7.5A
C
C
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA25N120ANTD | 1200V NPT Trench IGBT |
| FGA25N120AND | IGBT |
| FGA25N12ANTD | 1200V NPT Trench IGBT |
| FGA50N60LS | IGBT |
| FGAF40N60UFD | Ultrafast IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FGA15N120ANDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA15N120ANTD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT |
| FGA15N120ANTD_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT |
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