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參數資料
| 型號： | FGA15N120AND |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 中文描述： | 24 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | TO-3PN, 3 PIN |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 574K |
| 代理商： | FGA15N120AND |
FGA15N120AND Rev. A
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
5
10
15
20
25
0
100
200
300
400
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
Fig 19. Reverse Recovery Current
Fig 18. Forward Characteristics
Fig 20. Stored Charge
Fig 21. Reverse Recovery Time
0.1
1
10
50
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
T
C
= 125
℃
T
C
= 25
℃
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
Forward Voltage , V
F
[V]
F
F
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
5
10
15
20
25
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
S
r
Forward Current , I
F
[A]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA25N120ANTD | 1200V NPT Trench IGBT |
| FGA25N120AND | IGBT |
| FGA25N12ANTD | 1200V NPT Trench IGBT |
| FGA50N60LS | IGBT |
| FGAF40N60UFD | Ultrafast IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FGA15N120ANDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA15N120ANTD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT |
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