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參數(shù)資料
型號(hào): FGA15N120AND
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: IGBT
中文描述: 24 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: TO-3PN, 3 PIN
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大小: 574K
代理商: FGA15N120AND
FGA15N120AND Rev. A
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
5
10
15
20
25
0
100
200
300
400
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
Fig 19. Reverse Recovery Current
Fig 18. Forward Characteristics
Fig 20. Stored Charge
Fig 21. Reverse Recovery Time
0.1
1
10
50
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
T
C
= 125
T
C
= 25
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
Forward Voltage , V
F
[V]
F
F
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
5
10
15
20
25
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
S
r
Forward Current , I
F
[A]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGA25N120ANTD 1200V NPT Trench IGBT
FGA25N120AND IGBT
FGA25N12ANTD 1200V NPT Trench IGBT
FGA50N60LS IGBT
FGAF40N60UFD Ultrafast IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FGA15N120ANDTU 功能描述:IGBT 晶體管 NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGA15N120ANTD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT
FGA15N120ANTD_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT
FGA15N120ANTD_1 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT
FGA15N120ANTD_F109 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT
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