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參數資料
型號: FGA25N12ANTD
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: 1200V NPT Trench IGBT
中文描述: 1200伏不擴散核武器條約溝道IGBT
文件頁數: 3/9頁
文件大小: 861K
代理商: FGA25N12ANTD
3
www.fairchildsemi.com
FGA25N120ANTD Rev. A
F
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 25A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
--
2.0
3.0
V
--
2.1
--
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 25A
dI/dt = 200 A/
μ
s
--
235
350
ns
--
300
--
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Cur-
rent
--
27
40
A
--
31
--
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
--
3130
4700
nC
--
4650
--
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