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參數資料
| 型號： | FGA25N12ANTD |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 1200V NPT Trench IGBT |
| 中文描述： | 1200伏不擴散核武器條約溝道IGBT |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 861K |
| 代理商： | FGA25N12ANTD |
3
www.fairchildsemi.com
FGA25N120ANTD Rev. A
F
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 25A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
--
2.0
3.0
V
--
2.1
--
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 25A
dI/dt = 200 A/
μ
s
--
235
350
ns
--
300
--
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Cur-
rent
--
27
40
A
--
31
--
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
--
3130
4700
nC
--
4650
--
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA50N60LS | IGBT |
| FGAF40N60UFD | Ultrafast IGBT |
| FGC4000BX-90DS | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
| FGD3N60LSD | IGBT |
| FGD3N60LSDTF | IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FGA25N135ANDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FGA25S125P | 功能描述:IGBT 晶體管 Shorted Anode IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA26-16B | 制造商:AVC 功能描述: 制造商:AVX Corporation 功能描述: |
| FGA26-16G | 制造商:AVC 功能描述: 制造商:AVX Corporation 功能描述: |
| FGA26-18B | 制造商:AVC 功能描述: 制造商:AVX Corporation 功能描述: |
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