- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375795 > FGA25N12ANTD (Fairchild Semiconductor Corporation) 1200V NPT Trench IGBT PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FGA25N12ANTD |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 1200V NPT Trench IGBT |
| 中文描述： | 1200伏不擴散核武器條約溝道IGBT |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 861K |
| 代理商： | FGA25N12ANTD |
8
www.fairchildsemi.com
FGA25N120ANTD Rev. A
F
Mechanical Dimensions
TO-3P
15.60
±
0.20
4.80
±
0.20
13.60
±
0.20
9.60
±
0.20
2.00
±
0.20
3.00
±
0.20
1.00
±
0.20
1.40
±
0.20
3.20
±
0.10
3
±
0
1
±
0
3
±
0
1
±
0
1
±
0
1
±
0
2
±
0
1
±
0
1.50
+0.15
–0.05
0.60
+0.15
–0.05
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
Dimensions in Millimeters
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA50N60LS | IGBT |
| FGAF40N60UFD | Ultrafast IGBT |
| FGC4000BX-90DS | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
| FGD3N60LSD | IGBT |
| FGD3N60LSDTF | IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FGA25N135ANDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FGA25S125P | 功能描述:IGBT 晶體管 Shorted Anode IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGA26-16B | 制造商:AVC 功能描述: 制造商:AVX Corporation 功能描述: |
| FGA26-16G | 制造商:AVC 功能描述: 制造商:AVX Corporation 功能描述: |
| FGA26-18B | 制造商:AVC 功能描述: 制造商:AVX Corporation 功能描述: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。