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參數資料
型號: FGK60N6S2D
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: INDUSTRIAL POWER SUPPLY, 85-265VAC/120-330VDC INPUT, 24V@14A RoHS Compliant: Yes
中文描述: 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: PLASTIC, STRETCH TO-247, 3 PIN
文件頁數: 6/9頁
文件大小: 185K
代理商: FGK60N6S2D
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FGK60N6S2D Rev. A1
F
Figure 19. Diode Forward Current vs Forward
Voltage Drop
Figure 20. Recovery Times vs Forward Current
Figure 21. Recovery Times vs Rate of Change of
Current
Figure 22. Stored Charge vs Rate of Change of
Current
Figure 23. Reverse Recovery Softness Factor vs
Rate of Change of Current
Figure 24. Maximum Reverse Recovery Current vs
Rate of Change of Current
Typical Performance Curves
(Continued)
0.5
1.0
1.5
2.5
I
E
,
V
EC
, FORWARD VOLTAGE (V)
0
2.0
0
20
25
o
C
125
o
C
80
PULSE DURATION = 250
μ
s
DUTY CYCLE < 0.5%,
3.0
40
60
200
100
0
t
r
,
I
EC
, FORWARD CURRENT (A)
4
40
12
8
300
125
o
C t
a
125
o
C t
rr
28
20
24
16
125
o
C t
b
25
o
C t
rr
dI
EC
/dt = 200A/
μ
s, V
CE
= 390V
50
150
250
25
o
C t
a,
t
b
32
36
125
o
C t
b
125
o
C t
a
25
o
C t
b
I
EC
= 40A, V
CE
= 390V
t
a
,
b
,
dI
EC
/dt, RATE OF CHANGE OF CURRENT (A/
μ
s)
100
0
150
200
250
50
1000
200
300
600
400
500
700
800
900
25
o
C t
a
0.75
0.50
0.25
0
Q
r
,
dI
EC
/dt, RATE OF CHANGE OF CURRENT (A/
μ
s)
1000
1.00
200
300
900
2.00
500
700
125
o
C, I
EC
= 40A
125
o
C, I
EC
= 20A
25
o
C, I
EC
= 20A
25
o
C, I
EC
= 40A
V
CE
= 390V
1.75
400
600
800
1.25
1.50
dI
EC
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/
μ
s)
0
2.0
1.5
3.0
2.5
V
CE
= 390V, T
J
= 125
°
C
I
EC
= 40A
I
EC
= 20A
S
1000
900
300
200
500
700
1.0
0.5
400
600
800
3.5
4.0
dI
EC
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/
μ
s)
5
15
10
20
V
CE
= 390V, T
J
= 125
°
C
I
EC
= 40A
I
EC
= 20A
I
R
,
25
1000
900
300
200
500
700
400
600
800
30
35
40
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