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參數資料
型號: FJP5027
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: High Voltage and High Reliability
中文描述: 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數: 2/5頁
文件大小: 59K
代理商: FJP5027
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, December 2003
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter On Voltage
Figure 5. Switching Time
Figure 6. Safe Operating Area
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
B
= 350mA
I
B
= 150mA
I
B
= 100mA
I
B
= 50mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
1
10
100
V
CE
= 5 V
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= - 25
o
C
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
T
C
= 125
o
C
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
I
C
= 5 I
B
T
C
= - 25
o
C
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.1
1
10
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= - 25
o
C
T
C
= 125
o
C
I
C
= 5 I
B
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
10
100
1000
1
10
I
=3A, R
B2
=0
L=1mH, V
CC
=20V
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
1000
10000
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
100
μ
s
1ms
10ms
DC
I
C
MAX.(Pulse)
I
C
MAX(Continuous)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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