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參數資料
| 型號： | FJP5027 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage and High Reliability |
| 中文描述： | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | FJP5027 |
Package Dimensions
F
Dimensions in Millimeters
Rev. A, December 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
4.50
±
0.20
9.90
±
0.20
1.52
±
0.10
0.80
±
0.10
2.40
±
0.20
10.00
±
0.20
1.27
±
0.10
3.60
±
0.10
(8.70)
2
±
0
1
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0
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(
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°
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9
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0
1
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0
1
±
0
1.30
+0.10
0.50
+0.10
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
TO-220
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