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參數資料
型號: FJP5027
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: High Voltage and High Reliability
中文描述: 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數: 3/5頁
文件大小: 59K
代理商: FJP5027
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, December 2003
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Resistive Load Switching Characteristics
Figure 8. Power Derating
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
B1
=45mA, I
B2
=-0.5A
V
CC
=125V
t
F
,
S
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
70
80
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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PDF描述
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參數描述
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FJP5027R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 800V/3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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FJP5027RTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH VOLTAGE & RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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