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參數資料
| 型號： | FJPF5321 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| 中文描述： | 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | FJPF5321 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, December 2003
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Saturation Voltage
Figure 4. Saturation Voltage
Figure 5. Reverse Bias Safe Operating Area
Figure 6. Forward Bias Safe Operating Area
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
B
= 350mA
I
B
= 150mA
I
B
= 100mA
I
B
= 50mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
1
10
100
V
CE
= 5 V
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= - 25
o
C
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
T
C
= 125
o
C
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
I
C
= 5 I
B
T
C
= - 25
o
C
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.1
1
10
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= - 25
o
C
T
C
= 125
o
C
I
C
= 5 I
B
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
10
100
1000
1
10
I
=3A, R
B2
=0
L=1mH, V
CC
=20V
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
I
C
MAX (Pulse)
I
C
MAX (DC)
100
μ
s
10ms
50
μ
s
1ms
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJPF5555 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF6806D | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJPF9020 | PNP Epitaxial Darlington Transistor |
| FJT1100 | Ultra Low Leakage Diodes |
| FJT1101 | Ultra Low Leakage Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJPF5321TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF5555 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF5555TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 1100V/5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF6806D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJPF6806DTU | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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