欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FJPF5321
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
中文描述: 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220F, 3 PIN
文件頁數: 3/6頁
文件大小: 70K
代理商: FJPF5321
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, December 2003
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Saturation Voltage
Figure 4. Saturation Voltage
Figure 5. Reverse Bias Safe Operating Area
Figure 6. Forward Bias Safe Operating Area
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
B
= 350mA
I
B
= 150mA
I
B
= 100mA
I
B
= 50mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
1
10
100
V
CE
= 5 V
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= - 25
o
C
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
T
C
= 125
o
C
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
I
C
= 5 I
B
T
C
= - 25
o
C
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.1
1
10
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= - 25
o
C
T
C
= 125
o
C
I
C
= 5 I
B
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
10
100
1000
1
10
I
=3A, R
B2
=0
L=1mH, V
CC
=20V
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
I
C
MAX (Pulse)
I
C
MAX (DC)
100
μ
s
10ms
50
μ
s
1ms
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
相關PDF資料
PDF描述
FJPF5555 High Voltage Switch Mode Application
FJPF6806D NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
FJPF9020 PNP Epitaxial Darlington Transistor
FJT1100 Ultra Low Leakage Diodes
FJT1101 Ultra Low Leakage Diodes
相關代理商/技術參數
參數描述
FJPF5321TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJPF5555 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Switch Mode Application
FJPF5555TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 1100V/5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJPF6806D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
FJPF6806DTU 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
主站蜘蛛池模板: 南陵县| 南投市| 辽中县| 师宗县| 云梦县| 营山县| 大荔县| 泽普县| 裕民县| 镇江市| 丰县| 仁化县| 平舆县| 盘山县| 遵化市| 钟祥市| 顺昌县| 密云县| 广丰县| 柞水县| 读书| 广昌县| 巫山县| 图木舒克市| 通辽市| 吉水县| 柘荣县| 龙山县| 合水县| 高邑县| 滦平县| 临江市| 突泉县| 天津市| 建水县| 德州市| 玛纳斯县| 普安县| 汝州市| 潞城市| 雷山县|